半导体制造工艺--晶圆切片之刀片切割
来自： 更新日期：早些时候
~
半导体制造中的晶圆切片工艺多种多样，涉及到不同类型的刀片切割方法，以确保高精度和高质量的生产。以下是其中的关键步骤：
1. 全切：这是最基本的切割方式，通过切割带对晶片进行完全切割，广泛应用于半导体制造的多个领域。
2. 半切：在半导体制造中，半切用于DBG工艺，它首先产生凹槽，通过研磨实现减薄和芯片分离。
3. 双重切割：双切割锯采用双主轴，能同时对两条线进行全切或半切，提高生产效率。
4. 分步切割：双主轴的划片机按阶段完成全切和半切，适合处理布线层和硅单晶的不同需求。
5. 斜角切割：通过半切带V形刃的刀片，实现倒角切割，提升模具强度和加工质量。
6. 切碎机切割：适用于局部开槽，刀片从上方垂直切入，具有特定的切割深度控制。
7. 斩波器横移：在部分切削时，通过水平移动工件以完成切割。
8. 圆形切割：切割完成后，通过旋转加工台将工件制成圆形。
9. 倾斜切割：通过倾斜主轴实现定制角度切割，适用于如光学元件等需要特殊角度处理的工艺。
半导体制造工艺--晶圆切片之刀片切割视频
相关评论：17339515208：半导体制造工艺--晶圆切片之刀片切割
阎界仪1. 全切：这是最基本的切割方式，通过切割带对晶片进行完全切割，广泛应用于半导体制造的多个领域。2. 半切：在半导体制造中，半切用于DBG工艺，它首先产生凹槽，通过研磨实现减薄和芯片分离。3. 双重切割：双切割锯采用双主轴，能同时对两条线进行全切或半切，提高生产效率。4. 分步切割：双主轴的划...
17339515208：半导体晶圆(Wafer)划片几种方法的详解;
阎界仪主流的划片方式包括机械划片和激光划片，后者又分为激光隐切和激光全切。机械划片使用金刚石刀片，速度快且适应性强，但精度不高，适合较厚晶圆。激光切割则针对薄晶圆和脆性材料，其中激光隐切先在晶圆内部形成裂纹，再通过机械拉伸分离，而激光全切直接在表面切割，精度高但成本较高。开槽划片和DBG工艺（...
17339515208：什么是晶圆划片
阎界仪晶圆划片是半导体制造中的一个关键环节。这一过程主要是在晶圆上按照特定的需求，将集成电路等微电子设备从晶圆上切割下来，分割成许多小的单元，每个单元都是一个独立的芯片。晶圆划片的精准度和效率直接影响到半导体产品的质量和产量。晶圆划片是半导体制造工艺中的核心步骤之一，它关乎着整个半导体产业的成...
17339515208：半导体晶圆(Wafer)制造工艺流程详解;
阎界仪目前，晶圆清洗技术主要分为湿式和干式两大类。其中，湿式清洗法是最主流的技术，它使用液状酸碱溶剂与去离子水的混合物清洗晶圆表面，随后进行润湿和干燥。光刻工艺是半导体制造过程中的关键步骤，主要包括基片前处理、涂光刻胶、前烘、对准和曝光、显影、后烘、刻蚀和去除光刻胶等环节。离子注入技术可以...
17339515208：半导体工艺(一)-晶圆制造
阎界仪让我们一起看看晶圆制造的工艺吧！第一步：制造硅锭从沙子中提取的硅需要经过净化过程才能用于制造半导体。它被加热直到熔化成高纯度液体，然后通过结晶凝固。由此产生的硅棒称为硅锭。只有具有超高纯度的锭才能用于半导体工艺，这需要低至几纳米的极高精度。第二步：切割锭以制造薄晶圆硅锭的形状像陀螺，...
17339515208：晶圆刀片切割工艺详解
阎界仪在半导体制造领域，晶圆划片技术扮演着至关重要的角色。本篇文章将深入探讨晶圆切割工艺，详细介绍其核心原理、流程以及面临的挑战。一、刀片切割工艺基础 晶圆的切割主要采用机械刀片方式，尤其是对于厚度超过100微米的晶圆。在这一过程中，高速旋转的刀片在预设的切割路径上滑动，同时配合冷却水的使用，以避免...
17339515208：半导体碳化硅(SIC)晶圆(Wafer)切割(划片)方法的详解;
阎界仪半导体碳化硅（SIC）晶圆切割技术因其材料特性而颇具挑战性。碳化硅的高硬度（莫氏硬度9.2）和脆性使得传统工艺如金刚石刀片切割成本高昂，切割效率低，且可能导致材料损失和边缘缺陷。激光切割技术的引入，如金刚石线切割和激光烧蚀切割，虽然有其局限性，如激光烧蚀切割的低效率和热影响，但激光隐形切割（如...
17339515208：有关晶圆制造--知识小结
阎界仪半导体制造的核心技术之一是晶圆的制作，这个过程涉及精密的工艺和多个步骤。硅晶圆，由高纯度硅（Si）制成，是半导体生产的基石，因其在未处理时的形态，常被称为裸晶圆。主要有两种类型的晶圆：抛光晶圆，用于内存生产，经过切割和抛光；外延晶圆，提升质量，用于逻辑半导体生产，通过在抛光表面生长单晶。...
17339515208：晶圆是什么材料做的
阎界仪下面来了解下晶圆制造工艺流程。一、晶圆是什么材料做的晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。晶圆原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。如今国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。晶圆的...
17339515208：半导体行业芯片封装与测试的工艺流程
阎界仪封装测试厂从来料（晶圆）开始，经过前道的晶圆表面贴膜（WTP）→晶圆背面研磨（GRD）→晶圆背面抛光（polish）→晶圆背面贴膜（W－M）→晶圆表面去膜（WDP）→晶圆烘烤（WBK）→晶圆切割（SAW）→切割后清洗（DWC）→晶圆切割后检查（PSI）→紫外线照射（U－V）→晶片粘结（DB）→银胶固化（CRG）→...
1. 全切：这是最基本的切割方式，通过切割带对晶片进行完全切割，广泛应用于半导体制造的多个领域。
2. 半切：在半导体制造中，半切用于DBG工艺，它首先产生凹槽，通过研磨实现减薄和芯片分离。
3. 双重切割：双切割锯采用双主轴，能同时对两条线进行全切或半切，提高生产效率。
4. 分步切割：双主轴的划片机按阶段完成全切和半切，适合处理布线层和硅单晶的不同需求。
5. 斜角切割：通过半切带V形刃的刀片，实现倒角切割，提升模具强度和加工质量。
6. 切碎机切割：适用于局部开槽，刀片从上方垂直切入，具有特定的切割深度控制。
7. 斩波器横移：在部分切削时，通过水平移动工件以完成切割。
8. 圆形切割：切割完成后，通过旋转加工台将工件制成圆形。
9. 倾斜切割：通过倾斜主轴实现定制角度切割，适用于如光学元件等需要特殊角度处理的工艺。
半导体制造工艺--晶圆切片之刀片切割视频
相关评论：
阎界仪1. 全切：这是最基本的切割方式，通过切割带对晶片进行完全切割，广泛应用于半导体制造的多个领域。2. 半切：在半导体制造中，半切用于DBG工艺，它首先产生凹槽，通过研磨实现减薄和芯片分离。3. 双重切割：双切割锯采用双主轴，能同时对两条线进行全切或半切，提高生产效率。4. 分步切割：双主轴的划...
阎界仪主流的划片方式包括机械划片和激光划片，后者又分为激光隐切和激光全切。机械划片使用金刚石刀片，速度快且适应性强，但精度不高，适合较厚晶圆。激光切割则针对薄晶圆和脆性材料，其中激光隐切先在晶圆内部形成裂纹，再通过机械拉伸分离，而激光全切直接在表面切割，精度高但成本较高。开槽划片和DBG工艺（...
阎界仪晶圆划片是半导体制造中的一个关键环节。这一过程主要是在晶圆上按照特定的需求，将集成电路等微电子设备从晶圆上切割下来，分割成许多小的单元，每个单元都是一个独立的芯片。晶圆划片的精准度和效率直接影响到半导体产品的质量和产量。晶圆划片是半导体制造工艺中的核心步骤之一，它关乎着整个半导体产业的成...
阎界仪目前，晶圆清洗技术主要分为湿式和干式两大类。其中，湿式清洗法是最主流的技术，它使用液状酸碱溶剂与去离子水的混合物清洗晶圆表面，随后进行润湿和干燥。光刻工艺是半导体制造过程中的关键步骤，主要包括基片前处理、涂光刻胶、前烘、对准和曝光、显影、后烘、刻蚀和去除光刻胶等环节。离子注入技术可以...
阎界仪让我们一起看看晶圆制造的工艺吧！第一步：制造硅锭从沙子中提取的硅需要经过净化过程才能用于制造半导体。它被加热直到熔化成高纯度液体，然后通过结晶凝固。由此产生的硅棒称为硅锭。只有具有超高纯度的锭才能用于半导体工艺，这需要低至几纳米的极高精度。第二步：切割锭以制造薄晶圆硅锭的形状像陀螺，...
阎界仪在半导体制造领域，晶圆划片技术扮演着至关重要的角色。本篇文章将深入探讨晶圆切割工艺，详细介绍其核心原理、流程以及面临的挑战。一、刀片切割工艺基础 晶圆的切割主要采用机械刀片方式，尤其是对于厚度超过100微米的晶圆。在这一过程中，高速旋转的刀片在预设的切割路径上滑动，同时配合冷却水的使用，以避免...
阎界仪半导体碳化硅（SIC）晶圆切割技术因其材料特性而颇具挑战性。碳化硅的高硬度（莫氏硬度9.2）和脆性使得传统工艺如金刚石刀片切割成本高昂，切割效率低，且可能导致材料损失和边缘缺陷。激光切割技术的引入，如金刚石线切割和激光烧蚀切割，虽然有其局限性，如激光烧蚀切割的低效率和热影响，但激光隐形切割（如...
阎界仪半导体制造的核心技术之一是晶圆的制作，这个过程涉及精密的工艺和多个步骤。硅晶圆，由高纯度硅（Si）制成，是半导体生产的基石，因其在未处理时的形态，常被称为裸晶圆。主要有两种类型的晶圆：抛光晶圆，用于内存生产，经过切割和抛光；外延晶圆，提升质量，用于逻辑半导体生产，通过在抛光表面生长单晶。...
阎界仪下面来了解下晶圆制造工艺流程。一、晶圆是什么材料做的晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。晶圆原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。如今国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。晶圆的...
阎界仪封装测试厂从来料（晶圆）开始，经过前道的晶圆表面贴膜（WTP）→晶圆背面研磨（GRD）→晶圆背面抛光（polish）→晶圆背面贴膜（W－M）→晶圆表面去膜（WDP）→晶圆烘烤（WBK）→晶圆切割（SAW）→切割后清洗（DWC）→晶圆切割后检查（PSI）→紫外线照射（U－V）→晶片粘结（DB）→银胶固化（CRG）→...
