谁能帮忙解释下晶闸管，晶体管，场效应管，可控硅

MOS 管 场效应管 晶闸管 可控硅 问题~

MOS管与场效应管是一个概念。MOS管是全控型的，是电压驱动的；晶闸管是半控型的，由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。MOS管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差，一般10V左右。

稳压块实际上是稳压集成电路，它是由多个晶体管组合在一起构成一个稳压电路，不是单个的晶体管。场效应管、可控硅都属于晶体管这个大家族，但不是三极管。通常我们说的三极管是相对于二极管来讲的，单指双极型电流放大器件。场效应管可用于放大、振荡、开关等电路中，可控硅分单双向，用于整流和控制等电路中。

，1，可控硅又称晶闸管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶可控硅
闸管、快速晶闸管，等等。 　　可控硅整流器件是一种非常重要的功率器件，可用来做高电压和高电流的控制。可控硅器件主要用在开关方面，使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态，反之亦然。
2晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正向电压）、集电结要反偏置；BJT种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共发射极、共基极和共集电极放大电路。
3场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

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