晶闸管,三极管,二极管,可控管之间的区别
晶闸管和二极管是两类不同的器件,谈不上区别。晶闸管有单向和双向之分,通常的晶闸管,开通后不能自行关断,需要在外加电压下降到0甚至反向时才关断。
三极管简称晶体管或晶体三极管,三极管大都有三个外部电极,常用于对信号的放大和开关。
二极管又叫做晶体二级管,一般都有单向导电的功能。跟据其特征大致分晶体二级管,发光二级管,温度效应二级管,变容二级管,隧道二级管,稳压二级管,开关二级管,双向二级管等。
可控管简称可关断晶闸管,它保留了晶闸管的大电压、大电流,又具有在没信号时,靠门信号的微弱信号也能保持通态。
一、晶闸管
晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又被称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和控制极;
晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
二、晶闸管的定义
晶闸管导通条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。
晶闸管(Thyristor)是一种开关元件,能在高电压、大电流条件下工作,并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中,是典型的小电流控制大电流的设备。1957年,美国通用电器公司开发出世界上第一个晶闸管产品,并于1958年使其商业化。
三、三极管
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
场效应管 VS 三极管
1、微件不同:
场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。
2、放大系数:
场效应管是电压控制电流器件,由vGS控制iD,其放大系数gm一般较小,因此场效应管的放大能力较差;三极管是电流控制电流器件,由iB(或iE)控制iC。
3、输入电阻:
场效应管栅极几乎不取电流(ig»0);而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
4、性能不同:
场效应管只有多子参与导电;三极管有多子和少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用场效应管。
扩展资料:一、场效应管的工作原理:
场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。
其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。
二、三极管的产品作用:
晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
参考资料:百度百科:可控硅
参考资料:百度百科:三极管
参考资料: 百度百科:场效应管
一、名称叫法不同:
1、二极管,一个PN结,单向导通,反向截止,二极管又叫做晶体二级管。
2、晶闸管,是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅。
3、三极管,又简称晶体管或晶体三极管。
4、可控管,通常称可关断晶闸管。
二、工作原理不同:
1、二极管工作原理:
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。
2、三极管工作原理:
晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管。
3、晶闸管工作原理:
晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。
4、可控管工作原理:
它保留了晶闸管的大电压、大电流,用于在没信号的时候,靠门信号的微弱信号也可以保持通态。
扩展资料:
1957年美国通用电器公司开发出世界上第一晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。
它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。
晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断 (称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。
三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
可控管,通常称可关断晶闸管,属于晶闸管。但它保留了晶闸管的大电压、大电流,用于在没信号的时候,靠门信号的微弱信号也可以保持通态。三极管,二极管和可控硅,晶闸管之间其实都是运用半导体原理制作的。
参考资料来源:百度百科-三极管
参考资料来源:百度百科-二极管
参考资料来源:百度百科-晶体闸流管
一、名称不同
1、二极管(英语:Diode),一个PN结,单向导通,反向截止,二极管又叫做晶体二级管。
2、晶闸管(英语:Transistor),是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅。
3、三极管(英语:Bipolar Junction Transistor),又简称晶体管或晶体三极管。
4、可控管,通常称可关断晶闸管。
二、外形不同
1、二极管
2、三极管
3、晶闸管
4、可控管
三、工作原理不同
1、二极管工作原理:
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。
当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
2、三极管工作原理:
晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管。
(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)
三极管的电流放大作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨大变化。
三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用。
3、晶闸管工作原理:
晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。
4、可控管工作原理:
它保留了晶闸管的大电压、大电流,用于在没信号的时候,靠门信号的微弱信号也可以保持通态。
扩展资料:
一、晶闸管
晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅。
1957年美国通用电器公司开发出世界上第一晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。
它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。
晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
二、二极管
二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调电容器。
大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断 (称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。
三、三极管
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
四、可控管
可控管,通常称可关断晶闸管,属于晶闸管。但它保留了晶闸管的大电压、大电流,用于在没信号的时候,靠门信号的微弱信号也可以保持通态。
三极管,二极管和可控硅,晶闸管之间其实都是运用半导体原理制作的。
参考资料来源:百度百科-三极管
参考资料来源:百度百科-二极管
参考资料来源:百度百科-晶体闸流管
区别:
一、结构不同
1、晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极。
2、三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
3、二极管一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过。
4、可关断晶闸管的结构和普通单向晶闸管一样,也是由PNPN四层半导体构成,外部也有三个电极,即门极G、阳极A和阴极K。
二、工作原理不同
1、晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。
2、晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。
3、晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
4、可关断晶闸管是一种通过门极来控制器件导通和关断的电力半导体器件。GTO既具有普通晶闸管的优点(耐压高、电流大、耐浪涌能力强、价格便宜),同时又具有GTR的优点(自关断能力、无须辅助关断电路、使用方便),是应用于高压、大容量场合中的一种大功率开关器件。
扩展资料:
可关断晶闸管(GTO)又称门极可关断晶闸管或门控晶闸管,是晶闸管的一种派生器件。它的主要特点是门极加正脉冲信号触发管子导通,门极加负脉冲信号触发管子关断,因而属于全控型器件。
可关断晶闸管既保留了普通单向晶闸管耐压高、电流大的特性,又具备了自关断能力,且关断时间短,不需要复杂的换向电路,工作频率高,使用方便,但对关断脉冲信号的脉冲功率和门极负向电流的上升率要求较高。可关断晶闸管是理想的高压、大电流开关器件,广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域。
参考资料来源:百度百科-可关断晶闸管
参考资料来源:百度百科-三极管
参考资料来源:百度百科-二极管
参考资料来源:百度百科-晶闸管
最近刚好看这方面的书籍,个人概括理解:
三极管,二极管和可控硅,晶闸管之间其实都是运用半导体原理制作的,可能那位神人胡乱拼凑,然后实验,得到的几种承受电压,电流时的不同表现,然后依其特征,应用于不同领域及满足不同工作状态。
1:二极管,一个PN结,单向导通,反向截止(神人实验得来的)
2:晶闸管(小名:可控硅)在二极管的基础上加以改进,得到三个电极(比二极管多个控制极),用控制极来左右二极管的导通
3:三极管,两个PN结,有据三个电极电压的不同大小,以及PN结的组合不同,得到放大,截止,饱和三种形态(神人拿个小刀片胡乱组合得到的的结果)
其实很多问题,了解到原子,电子的运动规律就可以了,再深就是科学未解之谜了,没有办法解释,这也是牛顿一生研究物理,最后得到的结论却是:一切都是上帝创造的
如果非得究根结底,那就培养一下宗教信仰,嘿嘿
晶闸管就是可控硅。二极管中有一个PN结,三极管中有两个PN结,可控硅有三个PN结。都是半导体器件。
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