FET和BJT开关原理的区别

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BJT和三极管有什么区别,原理上是不是一样的~

两者之间没有区别。相关介绍具体如下:
一、两者的原理相同:
1、BJT(即双极结型晶体管)的原理:双极结型晶体管的工作,同时涉及电子和空穴两种载流子的流动,因此它被称为双极性的,所以也称双极性载流子晶体管。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同,后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。
2、三极管的原理:电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。

二、两者的构成相同:
1、BJT的构成:双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。
以NPN晶体管为例,按照设计,高掺杂的发射极区域的电子,通过扩散作用运动到基极。在基极区域,空穴为多数载流子,电子是少数载流子。由于基极区域很薄,这些电子又通过漂移运动到达集电极,从而形成集电极电流,因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。
2、三极管的构成:三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
三、两者的用途相同:
1、BJT的用途:双极性晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。
2、三极管的用途:作为主要部件,它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用,并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构,集成电路以及大规模集成电路应运而生,这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。
参考资料来源:百度百科-双极性晶体管
参考资料来源:百度百科-三极管

FET的相关有点: 1.FET表现较好的温度性能; 2.FET的噪声特性一般也是优良的; 3.FET的输入阻抗通常是很高的,这对把它用于前置放大器是理想的; 4.FET的漏极电流与BJT的指数形式集电极电流相比,它表现为二次泛函特性; 5.FET的频率上限常常以一显著的差额超过BJT的频率上限; 6.FET的功率消耗较小。 缺点: 1.FET一般具有较小的增益; 2:由于高的输入阻抗,较为难于构建匹配网络; 3:与BJT相比,其功率使用容量偏低。 参考文献:射频电路设计--理论与应用 电子工业出版社

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BJT有三个工作区域:饱和、放大、截止。在放大电路中,尽量避免工作到饱和区和截止区,以免产生饱和失真和截止失真,甚至失去放大作用。而在脉冲数字电路中恰好相反,它正是利用饱和、截止状态作为一个可以控制的无触点开关,可以在电路中用作开关。
FET栅极电压可以产生沟道,也可以使沟道消失——夹断;而源-漏电压也有可能使MOSFET的沟道夹断(局部夹断),则沟道夹断的电压对应有两个电压。一般,产生或者夹断沟道的栅极电压称为阈值电压VT,而使沟道夹断的源-漏电压往往称为饱和电压Vsat。


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