阿尔贝·费尔巨磁阻效应理论

1988年，两位科学家阿尔贝·费尔和格林贝格尔各自独立地揭示了一个奇特现象：极微弱的磁性波动就能导致磁性材料的电阻发生显著变化，这被称为巨磁阻效应（Giant Magneto-Resistive, GMR）。费尔在法国研究中观察到，在铁-铬交替层的多层膜电阻中，即使磁场微小变化，电阻也会急剧变化，变化幅度可高达正常情况下的十几倍。而格林贝格尔教授的团队在同一时期，也在铁/铬/铁三层结构中观察到了相同的现象。

巨磁阻效应是指磁性材料的电阻在外部磁场存在时与无磁场时相比，表现出巨大的差异。这是量子力学在磁性薄膜结构中的一种表现，由铁磁材料和非磁性材料交替层叠组成。当磁矩平行时，材料电阻最小；磁矩反平行时，电阻最大。磁性材料磁矩的方向由外磁场控制，这使得即使是很小的磁场也能引起显著的电阻变化。

计算机硬盘利用磁介质存储信息。硬盘内部包含多个磁盘片，每个磁盘面划分为磁道和扇区。磁盘表面的磁涂层由无数微小的磁颗粒组成，记录信息。早期的磁头主要采用锰铁磁体，但随着信息技术的发展，巨磁阻效应的引入改变了这一局面。1997年，首个基于巨磁阻效应的读出磁头面世，它能高效读取微弱磁信号，推动了硬盘存储容量的大幅增加和体积的缩小。如今，巨磁阻效应已成为笔记本电脑、音乐播放器等设备硬盘的主流技术，推动了电子设备的小型化和大容量化。

阿尔贝·费尔1938年3月7日出生于法国的卡尔卡松，已婚并有两个孩子。1962年，费尔在巴黎高等师范学院获数学和物理硕士学位。1970年，费尔从巴黎第十一大学获物理学博士学位。 阿尔贝·费尔目前为巴黎第十一大学物理学教授。费尔从1970年到1995年一直在巴黎第十一大学固体物理实验室工作。后任研究小组组长。1995年至今则担任国家科学研究中心-Thales 集团联合物理小组科学主管。1988年，费尔发现巨磁电阻效应，同时他对自旋电子学作出过许多贡献。