什么是DDR和SDRAM?以及它们的含义
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SDRAM与DDR有什么区别~
内存也是计算机系统里的重要配件，它的数量多少，质量好坏直接影响着整个系统的性能以及稳定性。今天，我就把关于内存的几个主要参数给大家介绍一下，希望在大家购买和使用内存的时候能够从中得到帮助。
同步动态随机存储器（Synchronous DRAM，SDRAM）：是目前主推的PC 100和PC 133规范所广泛使用的内存类型，它的带宽为64位，3.3V电压，目前产品的最高速度可达5ns。它与CPU使用相同的时钟频率进行数据交换，它的工作频率是与CPU的外频同步的，不存在延迟或等待时间。
双倍速率SDRAM（Dual Date Rate SDRSM，DDR SDRAM）：又简称DDR，由于它在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s。DDR不支持3.3V电压的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2标准。它仍然可以沿用现有SDRAM的生产体系，制造成本比SDRAM略高一些，但仍要远小于Rambus的价格，因为制造普通SDRAM的设备只需稍作改进就能进行DDR内存的生产，而且它也不存在专利等方面的问题，所以它代表着未来能与Rambus相抗衡的内存发展的一个方向。
接口动态随机存储器（Direct Rambus DRAM, DRDRAM）：是Intel所推崇的未来内存的发展方向，它将RISC（精简指令集）引入其中，依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。它具有相对SDRAM较高的工作频率（不低于300MHz），但其数据通道接口带宽较低，只有16位，当工作时钟为300MHz时，Rambus利用时钟的上沿和下沿分别传输数据，因此它的数据传输率能达到300×16×2/8=1.2GB/s，若是两个通道，就是2.4GB/s。它与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令变化，同一组引脚线既可以被定义成地址线也可以被定义成控制线。其引脚数仅为普通DRAM的三分之一。
虚拟通道存储器（Virtual Channel Memory, VCM），是目前大多数最新的主板芯片组都支持的一种内存标准，VCM是由NEC公司开发的一种的“缓冲式DRAM”，该技术将在大容量SDRAM中采用。它集成了所谓的“通道缓冲”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着与传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不管数据是否经过CPU处理都可以先行交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，这就是为什么VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上的原因。
CL（CAS Latency）：为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。比如现在大多数的SDRAM（在外频为100MHz时）都能运行在CAS Latency = 2或3的模式下，也就是说，这时它们读取数据的延迟时间可以是2个时钟周期或3个时钟周期。
tCK（TCLK）：为系统时钟周期，它代表SDRAM所能运行的最大频率。数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC 100 SDRAM来说，它芯片上的标识“-10”代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz的外频下正常工作。
tAC（Access time from CLK）：是最大CAS延迟时的最大数输入时钟，PC 100规范要求在CL=3时tAC不大于6ns。某些内存编号的位数表示的是这个值。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。
对于PC 100内存来说，要求当CL=3的时候，tCK的数值要小于10ns、tAC要小于6ns。关于总延迟时间的计算一般用这个公式: 总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间（tAC），比如某PC 100内存的存取时间为6ns，我们设定CL模式数为2（即CAS Latency=2），则总延迟时间=10ns×2+ 6ns= 26ns，这就是评价内存性能高低的重要数值。如果PC 100、PC 133内存只使用在66MHz或100MHz总线下，应该将CAS Latency的数值设为2，这样内存无疑会有更好的性能
双通道同步动态随机存储器（双信道同步动态随机存取内存）即DDR SDRAM (Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 为具有双倍数据传输率之SDRAM，其数据传输速度为系统频率之两倍，由于速度增加，其传输效能优于传统的SDRAM。
1张有184针的DDR内存DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术，DDR，英文原意为“Double Data Rate”，顾名思义，就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次操作（读或写），而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL (Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准 SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
DDR是德意志民主共和国的德文缩写
DDR是双通道
内存的两种型号
什么是DDR和SDRAM?以及它们的含义视频
相关评论：17377847065：DDR内存和SDRAM有什么不同
冀卢习DDR就是SD二代，DDR意思就是双倍数据传输，也就是SD RAM的双倍~
17377847065：ddr是什么DDR2是什么DDR3是什么
冀卢习DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升\/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以...
17377847065：显存类型有什么
冀卢习在当前的市场中，显存类型主要分为SDRAM和DDR SDRAM，以及其升级版本SGRAM。它们各自针对不同的需求，优化了数据传输和图形处理性能。SDRAM，全称同步动态随机存储器，通过与系统总线同步工作，消除了异步DRAM操作时的等待时间，显著提升了数据传输速度。它的发展路径是从DDR到DDR2再到DDR3，性能不断提升。而...
17377847065：请高手回答SDRAM跟DDR,怎么理解法
冀卢习RATE、DDR SDRAM内存技术是从主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技术发展来的。DDR DIMMS与SDRAM DIMMS的物理元数相同，但两侧的线数不同，DDR应用184pins，而SDRAM则应用168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRA M，要求专为DDR设计的主板与支持结构。SDR内存与插槽有168个接触点.而DDR则有184个接触点.
17377847065：DRAM和SDRAM的区别是什么?
冀卢习，DDR SDRAM内存技术是从几年前主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技术发展而来。它在工作的时候通过时钟频率的上行和下行都可以传输数据（SDRAM只能通过下行传输），因此在频率相等的情况下拥有双倍于SDRAM的带宽。另外DDR内存的DIMM是184pins，而SDRAM则是168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRAM。
17377847065：SDRAM、DDR、DDR2这些内存条有什么区别?
冀卢习此外，DDR2内存采用FBGA封装方式，替代了传统的TSOP方式。DRAM核心速度与DDR相同，但需要新主板以兼容DDR2内存。DDR2针脚数量为240针，而DDR内存为184针，且VDIMM电压为1.8V，不同于DDR内存的2.5V。DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM技术由JEDEC进行开发，具有两倍于上一代DDR内存预读取能力，即在...
17377847065：SDRAM与DDR有什么区别
冀卢习SDRAM从发展到现在已经经历了五代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代，DDR4 SDRAM。你所说的SDRAM应该指的是第一代SDR SDRAM吧。我不知道你说的同时读写是什么，前提定义范围太广。但我猜你的意思是插在主板上的SDR内存条和DDR内存条的...
17377847065：内存DDR, DDR2 ,DDR3分别是什么意思。另外双通道又是什么意思
冀卢习而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。其主要频率有400MHz和533MHz DDR2——第二代内存型号。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达 667MHZ 和800MHz），耗电量更低，散热性能更优良 .DDR3——第三代内存型号。其主要频率有：...
17377847065：DDR和SDRAM有什么?区别
冀卢习SDRAM是单速的 也就是说在一个时钟周期内只能传输一次数据而DDR的速度比SDRAM的速度快一倍
17377847065：DDR和DDRⅡ各是什么意思
冀卢习DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各...
1.性能差别
（1）与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步。
（2）DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。
（3）DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。
2.外部差别
（1）从 外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和针脚距离。标准的DDR内存条是184引脚线 DIMM(双面引脚内存条)。它很像标准的168引脚线 SDRAM DIMM，只是用了一个凹槽而不是SD上的两个凹槽。
（2）组件的长度也是5.25英寸，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。
（3）DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
扩展资料
演变
（1）SDRAM从发展到现在已经经历了五代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代DDR4 SDRAM。
（2）第一代SDRAM采用单端（Single-Ended）时钟信号,第二代、第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。
（3）SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率，第一代内存用时钟频率命名，如pc100，pc133则表明时钟信号为100或133MHz，数据读写速率也为100或133MHz。
（4）之后的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）内存则采用数据读写速率作为命名标准，并且在前面加上表示其DDR代数的符号，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作频率是333/2=166MHz，2700表示带宽为2.7G。
（5）DDR的读写频率从DDR200到DDR400，DDR2从DDR2-400到DDR2-800，DDR3从DDR3-800到DDR3-1600。
参考资料：百度百科-DDR SDRAM
参考资料：百度百科-SDRAM
内存也是计算机系统里的重要配件，它的数量多少，质量好坏直接影响着整个系统的性能以及稳定性。今天，我就把关于内存的几个主要参数给大家介绍一下，希望在大家购买和使用内存的时候能够从中得到帮助。
同步动态随机存储器（Synchronous DRAM，SDRAM）：是目前主推的PC 100和PC 133规范所广泛使用的内存类型，它的带宽为64位，3.3V电压，目前产品的最高速度可达5ns。它与CPU使用相同的时钟频率进行数据交换，它的工作频率是与CPU的外频同步的，不存在延迟或等待时间。
双倍速率SDRAM（Dual Date Rate SDRSM，DDR SDRAM）：又简称DDR，由于它在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s。DDR不支持3.3V电压的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2标准。它仍然可以沿用现有SDRAM的生产体系，制造成本比SDRAM略高一些，但仍要远小于Rambus的价格，因为制造普通SDRAM的设备只需稍作改进就能进行DDR内存的生产，而且它也不存在专利等方面的问题，所以它代表着未来能与Rambus相抗衡的内存发展的一个方向。
接口动态随机存储器（Direct Rambus DRAM, DRDRAM）：是Intel所推崇的未来内存的发展方向，它将RISC（精简指令集）引入其中，依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。它具有相对SDRAM较高的工作频率（不低于300MHz），但其数据通道接口带宽较低，只有16位，当工作时钟为300MHz时，Rambus利用时钟的上沿和下沿分别传输数据，因此它的数据传输率能达到300×16×2/8=1.2GB/s，若是两个通道，就是2.4GB/s。它与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令变化，同一组引脚线既可以被定义成地址线也可以被定义成控制线。其引脚数仅为普通DRAM的三分之一。
虚拟通道存储器（Virtual Channel Memory, VCM），是目前大多数最新的主板芯片组都支持的一种内存标准，VCM是由NEC公司开发的一种的“缓冲式DRAM”，该技术将在大容量SDRAM中采用。它集成了所谓的“通道缓冲”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着与传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不管数据是否经过CPU处理都可以先行交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，这就是为什么VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上的原因。
CL（CAS Latency）：为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。比如现在大多数的SDRAM（在外频为100MHz时）都能运行在CAS Latency = 2或3的模式下，也就是说，这时它们读取数据的延迟时间可以是2个时钟周期或3个时钟周期。
tCK（TCLK）：为系统时钟周期，它代表SDRAM所能运行的最大频率。数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC 100 SDRAM来说，它芯片上的标识“-10”代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz的外频下正常工作。
tAC（Access time from CLK）：是最大CAS延迟时的最大数输入时钟，PC 100规范要求在CL=3时tAC不大于6ns。某些内存编号的位数表示的是这个值。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。
对于PC 100内存来说，要求当CL=3的时候，tCK的数值要小于10ns、tAC要小于6ns。关于总延迟时间的计算一般用这个公式: 总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间（tAC），比如某PC 100内存的存取时间为6ns，我们设定CL模式数为2（即CAS Latency=2），则总延迟时间=10ns×2+ 6ns= 26ns，这就是评价内存性能高低的重要数值。如果PC 100、PC 133内存只使用在66MHz或100MHz总线下，应该将CAS Latency的数值设为2，这样内存无疑会有更好的性能
双通道同步动态随机存储器（双信道同步动态随机存取内存）即DDR SDRAM (Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 为具有双倍数据传输率之SDRAM，其数据传输速度为系统频率之两倍，由于速度增加，其传输效能优于传统的SDRAM。
1张有184针的DDR内存DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术，DDR，英文原意为“Double Data Rate”，顾名思义，就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次操作（读或写），而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL (Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准 SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
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冀卢习在当前的市场中，显存类型主要分为SDRAM和DDR SDRAM，以及其升级版本SGRAM。它们各自针对不同的需求，优化了数据传输和图形处理性能。SDRAM，全称同步动态随机存储器，通过与系统总线同步工作，消除了异步DRAM操作时的等待时间，显著提升了数据传输速度。它的发展路径是从DDR到DDR2再到DDR3，性能不断提升。而...
冀卢习RATE、DDR SDRAM内存技术是从主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技术发展来的。DDR DIMMS与SDRAM DIMMS的物理元数相同，但两侧的线数不同，DDR应用184pins，而SDRAM则应用168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRA M，要求专为DDR设计的主板与支持结构。SDR内存与插槽有168个接触点.而DDR则有184个接触点.
冀卢习，DDR SDRAM内存技术是从几年前主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技术发展而来。它在工作的时候通过时钟频率的上行和下行都可以传输数据（SDRAM只能通过下行传输），因此在频率相等的情况下拥有双倍于SDRAM的带宽。另外DDR内存的DIMM是184pins，而SDRAM则是168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRAM。
冀卢习此外，DDR2内存采用FBGA封装方式，替代了传统的TSOP方式。DRAM核心速度与DDR相同，但需要新主板以兼容DDR2内存。DDR2针脚数量为240针，而DDR内存为184针，且VDIMM电压为1.8V，不同于DDR内存的2.5V。DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM技术由JEDEC进行开发，具有两倍于上一代DDR内存预读取能力，即在...
冀卢习SDRAM从发展到现在已经经历了五代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代，DDR4 SDRAM。你所说的SDRAM应该指的是第一代SDR SDRAM吧。我不知道你说的同时读写是什么，前提定义范围太广。但我猜你的意思是插在主板上的SDR内存条和DDR内存条的...
冀卢习而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。其主要频率有400MHz和533MHz DDR2——第二代内存型号。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达 667MHZ 和800MHz），耗电量更低，散热性能更优良 .DDR3——第三代内存型号。其主要频率有：...
冀卢习SDRAM是单速的 也就是说在一个时钟周期内只能传输一次数据而DDR的速度比SDRAM的速度快一倍
冀卢习DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各...
