关于bjt的结构特点说法错误的是

关于BJT的结构特点说法错误的是（C）。

A. 基区很薄且掺杂浓度很低

B. 发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

C. 基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

D. 集电区面积大于发射区面积

根据结构不同，bjt一般可分成两种类型：npn型和pnp型。npn型bjt结构示意图、管芯剖面图及表示符号如图3所示。

半导体的三个区域分别称为发射区、基区和集电区；三个区域引出的三个电极分别叫做发射极e、基极b和集电极c；发射区与基区间的pn结称为发射结，基区与集电区间的pn结称为集电结。

bjt的结构特点有超高频性能，大电流驱动能力，有两种极性载流子，自由电子和空穴。电流驱动型器件。

发射极（e） 对应的杂质半导体区域为发射区 ，该区域掺杂浓度较高。基极（b） 对应的杂质半导体区域为基区 ，该区域宽度很薄，掺杂浓度很低。

集电极（c） 对应的杂质半导体区域为集电区 ，该区域面积大，掺杂浓度很低。发射结 ：发射区和基区的PN结。集电结 ：基区和集电区的PN结。